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J-GLOBAL ID:201702238882949170   整理番号:17A1607123

擬似太陽光照射による単結晶Siのキャリア移動度変化と太陽電池特性への影響

Effect of Light Irradiation on Carrier Mobility of n- and p-Type Si Substrates for Solar Cell Application
著者 (6件):
資料名:
号: 46  ページ: 95-99 (WEB ONLY)  発行年: 2017年07月31日 
JST資料番号: U0521A  ISSN: 0540-4924  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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・模擬太陽光照射が可能なHall測定装置を構築。
・物性値が既知のSi基板を用いて,n-Siとp-Siの計4種類の試料を準備。
・室温条件下でHall起電圧を測定。
・暗状態から4.0Sunsまでの疑似太陽光照射により,各試料の多数キャリア移動度とキャリア濃度値を測定。
・測定時の温度管理と光励起キャリアおよび暗状態時の不純物濃度とイオン化率を提示。
・Hall測定の結果は全試料ともに照射光量の増大にともないキャリア移動度が単調に減少。
・光励起キャリアの増加量はn-Siとp-Si(それぞれΔnとΔp)で異なると判明。
・不純物濃度が大きいほど,移動度の減少の傾きが小さくなり,光照度の影響が低下。
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分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  光伝導,光起電力 
タイトルに関連する用語 (5件):
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