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J-GLOBAL ID：201702238929413122   整理番号：17A1058038

電子放出Siナノファセットの局所仕事関数のプロービング【Powered by NICT】

Probing local work function of electron emitting Si-nanofacets

著者 (3件)： Basu Tanmoy (SUNAG Laboratory, Institute of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751 005, India) ,  Som Tapobrata (SUNAG Laboratory, Institute of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751 005, India) ,  Som Tapobrata (Homi Bhabha National Institute, Anushaktinagar, Mumbai 400 094, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 418  号： PA  ページ： 340-345  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積Siナノファセットを室温(RT)での斜め入射低エネルギーAr~+イオンビーム照射により合成した。このようなナノファセットの電界放出特性を電流-電圧測定とFowler-Nordheim方程式に基づいて研究した。比較的高い電流密度を持つ低ターンオン電界は,形状と全体的な粗い形態のために得られた。イオン曝露時間を変化させることによるシリコンナノファセットからの調整可能な電界放出特性を実証した。Kelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)測定と共に原子間力顕微鏡(A FM)を用いて,アスペクト比に関する情報を提供し,ファセットの頂点近傍の自然酸化物層の存在を確認した。不均一酸化はファセットの頂点での局所仕事関数を増加させ,同じからの電子放出を制限する。室温作製のために,この方法は,低コスト真空電界放出デバイス作製に非常に重要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化 ,  イオン照射 ,  アスペクト比 ,  電流 ,  *仕事関数 ,  イオン ,  *ファセット ,  電圧測定 ,  *ケイ素 ,  電流密度 ,  原子間力顕微鏡 ,  電界放出 ,  ターンオン電界 ,  大面積
準シソーラス用語： *ナノファセット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電界放出 ,  シリコンナノファセット ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  仕事関数

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子放出 ,  Si ,  ナノファセット ,  仕事関数