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J-GLOBAL ID：201702238969906042   整理番号：17A0474428

3次元集積回路マイクロバンプにおける金属間化合物の電流誘起偏析【Powered by NICT】

Current induced segregation of intermetallic compounds in three-dimensional integrated circuit microbumps

著者 (5件)： Chen Chiao-Wen (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, No. 1, University Road, Tainan 70101, Taiwan) ,  Chiu Tsung-Chieh (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, No. 1, University Road, Tainan 70101, Taiwan) ,  Chiu Ying-Ta (Product Characterization, Advanced Semiconductor Engineering, Incorporation, No. 26, Chin 3rd Road, Nantze Export Processing Zone, Kaohsiung 81170, Taiwan) ,  Lee Chiu-Wen (Product Characterization, Advanced Semiconductor Engineering, Incorporation, No. 26, Chin 3rd Road, Nantze Export Processing Zone, Kaohsiung 81170, Taiwan) ,  Lin Kwang-Lung (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, No. 1, University Road, Tainan 70101, Taiwan)
資料名： Intermetallics  (Intermetallics)
巻： 85  ページ： 117-124  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0672A  ISSN： 0966-9795  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エレクトロマイグレーションは従来のはんだ接合における電極での金属間化合物(IMC)の形成と溶解に及ぼす極性効果を誘起する。しかし,マイクロバンプの全はんだ接合は長時間の電流ストレス負荷の後の金属間化合物に転化した。基板メタライゼーションを有機はんだ付け性保存剤Cu(OSP Cu)または無電解ニッケル/無電解パラジウム/浸漬金(ENEPIG)した場合,本研究は,中間Ni層なしのCuピラー上の30μm高さSn1 8Agマイクロバンプめっきにおける金属間化合物の成長挙動を調べた。電流密度1.0×10~4cm~2の下の金属間化合物の成長の進行は300まで調べた。電流ストレス中の三次元断面によって明らかにされた金属間化合物の偏析と成長が観察され,議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *偏析 ,  電子顕微鏡観察 ,  浸漬 ,  *電流 ,  エレクトロマイグレーション ,  *金属間化合物 ,  はんだ付 ,  *三次元 ,  電流密度 ,  メタライゼーション ,  *電流発生 ,  電解 ,  極性
準シソーラス用語： 電流ストレス ,  *マイクロバンプ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 薄い膜及び多層膜 ,  合金設計 ,  電気めっき ,  Segregation ,  電子顕微鏡観察 ,  走査

分類 (2件)： ろう付  (WC07050C) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3次元 ,  集積回路 ,  マイクロバンプ ,  金属間化合物 ,  電流誘起 ,  偏析