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J-GLOBAL ID：201702238974099843   整理番号：17A1140510

ジアミン系分子接合剤(a-TES)層導入による酸化銅上のDNTT膜の分子配向制御

著者 (6件)： 浦邉祐 (千葉大) ,  岩澤和明 (千葉大) ,  下山巌 (日本原子力開発研究機構) ,  野本真司 (千葉大) ,  吉田弘幸 (千葉大) ,  奥平幸司 (千葉大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7a-C19-7  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジアミン ,  *接着剤 ,  *酸化銅 ,  有機半導体 ,  *分子配向 ,  *制御 ,  薄膜トランジスタ ,  単分子層 ,  酸化ケイ素 ,  真空蒸着 ,  半導体薄膜 ,  *XANES
準シソーラス用語： *配向制御 ,  有機薄膜トランジスタ ,  自己組織化単分子層 ,  *NEXAFS

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物・錯体のX線スペクトル  (BM08102G)

物質索引 (1件)： DNTT

タイトルに関連する用語 (8件)： ジアミン ,  分子 ,  接合剤 ,  TES ,  層 ,  酸化銅 ,  DNTT ,  分子配向