文献
J-GLOBAL ID:201702239018084461   整理番号:17A0397542

単独起立カーボンナノチューブの成長に対する局在プラズマを用いたナノパターン形成

Nanopattern formation using localized plasma for growth of single-standing carbon nanotubes
著者 (2件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 17,1-9  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: W1361A  ISSN: 1388-0764  CODEN: JNARFA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電界放出に対するカーボンナノチューブ(CNT)の応用に関連して,本論文では,プラズマCVDによる単独起立CNTの成長に対して,局在プラズマを用いたナノパターン形成を論じた。この方法では,前もってパターン形成したNi触媒上にCNTを製造できるが,その際,Ni触媒は,プラズマを成長領域に閉じ込める役割も果たした。プラズマ局在化および誘電泳動力に基づいた数値シミュレーションの結果は,実験結果を確認した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る