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J-GLOBAL ID：201702239054946159   整理番号：17A0579223

水素生成用ケイ素フォトカソード上の単層を凌ぐ二重層グラフェン

Double-Layer Graphene Outperforming Monolayer as Catalyst on Silicon Photocathode for Hydrogen Production

著者 (12件)： SIM Uk (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  MOON Joonhee (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  MOON Joonhee (Korea Basic Sci. Inst., Daejeon, KOR) ,  LEE Joohee (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  AN Junghyun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  AHN Hyo-Yong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dong Jin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JO Insu (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JEON Cheolho (Korea Basic Sci. Inst., Daejeon, KOR) ,  HAN Seungwu (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HONG Byung Hee (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  NAM Ki Tae (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 4  ページ： 3570-3580  発行年： 2017年02月01日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿で我々はグラフェンとシリコン基板の界面に於ける水素発生反応(HER)に対するフォト電気化学セル(PECs)の応答メカニズムを説明する。我々の研究に於いて,グラフェンは我々が開発した先進グラフェン転写手法により層毎成長で選択的に制御された。我々はより多くの活性サイトを作製する為に様々な層状グラフェンにプラズマ処理を導入した。グラフェンはCVDデポジッションを介して合成されそして層毎成長の転写でランダムに配向された。シリコン電極上のプラズマで処理した二層グラフェンは予期せぬことに最も小さい仕事関数を示し,強化されたHERの為に最も強いバンド曲げを誘起し,これはグラフェン/シリコンと電解質の界面に於けるモットーショットキー解析の結果と一致した。更に,PEC性能は向上した効率0.32%を呈し,これは裸のシリコンの値より64倍高くそしてプレーナーなp-Siフォトカソード上のカーボンベースの触媒で記録された最高値である。

シソーラス用語： *光電極 ,  カソード ,  *光電気化学 ,  *水素発生反応 ,  *グラフェン ,  転写 ,  *薄膜成長 ,  プラズマ処理 ,  化学蒸着 ,  分子配向 ,  状態 ,  *多層 ,  基板 ,  ケイ素 ,  仕事関数 ,  半導体薄膜 ,  炭素電極 ,  *電極触媒
準シソーラス用語： *層毎成長 ,  無秩序 ,  *二層

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素生成 ,  ケイ素 ,  フォトカソード ,  単層 ,  二重層 ,  グラフェン