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J-GLOBAL ID:201702239223946212   整理番号:17A0320202

4 3接触要素のスイッチ可能な配置に基づくコンパクトな2次元CMOSH allセンサ【Powered by NICT】

Compact two-dimensional CMOS Hall sensor based on switchable configurations of four three-contact elements
著者 (3件):
資料名:
巻: 248  ページ: 281-289  発行年: 2016年 
JST資料番号: B0345C  ISSN: 0924-4247  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,同一位置での面内磁場成分B_xとB_y両方の測定のための説得力のある設計単純の新しいCMOSセンサを報告した。デバイスはわずか四接触を通して動作し,単一制御信号を使用することである。は二つの直交対として配置された四つの分離したn井戸から構成されている。各n井戸セグメントは,二外部接触は導電性ループに四3CVHEsの電気的相互接続に使用されている三接点垂直H all要素(3cvhe)を形成した。各3cvheの中央接触はスピニング電流法によるオフセット低減を可能にする駆動および検出接触として機能する。新しい装置の動作原理は,個々の3CVHEsの磁場依存抵抗行列から導出した。センサの二軸検出能力は四3CVHEs間の相互接続を選択的に達成され,デバイスはB_xとB_yに交互に感受性となった。統合伝送ゲート(TG)はスイッチとして機能する。適切な設計は,センサの電気的対称性,これは0.2~0.4の低い等価オフセット場を保証する。3.7mTの公称B場に対してBの測定された大きさと角度のRMS誤差はわずか42μTと0.7°であることが検出された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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磁電デバイス  ,  固体デバイス製造技術一般 
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