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J-GLOBAL ID:201702239278081213   整理番号:17A1767467

表面増強Raman散乱用の低真空スパッタリングによる多孔質ナノ構造

Porous Nanostructures by Low Vacuum Sputtering for Surface Enhanced Raman Scattering
著者 (7件):
資料名:
巻: 17  号: 11  ページ: 8528-8533  発行年: 2017年11月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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クラスタ源を装荷したスパッタリング装置を用いて,Si基板上にAgナノ多孔質金属構造を形成する方法を設計し,SERS基板の適用性を試験した。様々な条件下でSi表面上にAgナノ多孔質構造が均一に形成された。作動圧力を10mTorrから高めると金属クラスタと結晶サイズの間のギャップが増加し,多孔性の高い金属構造が形成された。クラスタ源の温度を上げると,堆積速度と気孔率が低下したが,結晶粒度は12.5nmで一定であった。作製したAgナノポーラス構造試料のRaman応答関数は,ローダミン6Gに対する最大ピーク値を1514/cmに示した。作動圧力を30mTorrのときの増強因子は1.92×106で,SERS基板に適することを実証した。
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分類 (1件):
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赤外・Raman・Rayleighスペクトル一般(分子) 
タイトルに関連する用語 (5件):
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