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J-GLOBAL ID：201702239286564721   整理番号：17A1669681

SRAMによる新しい不揮発性キャッシュのための新しい摩耗バランス法を提案した。【JST・京大機械翻訳】

SRAM-Assisted Wear Leveling for Emerging Non-Volatile Caches

著者 (6件)： Chen Fanfan (武漢大学計算机学院 武漢 430072) ,  He Yanxiang (武漢大学計算机学院 武漢 430072;武漢大学軟件工程国家重点実験室 武漢 430072) ,  Zhang Jun (武漢大学計算机学院 武漢 430072) ,  Jiang Nan (武漢大学計算机学院 武漢 430072) ,  Li Qingan (武漢大学軟件工程国家重点実験室 武漢 430072) ,  Li Jianhua (合肥工業大学計算机与信息学院 合肥 230009)
資料名： Jisuanji Xuebao  (Jisuanji Xuebao)
巻： 40  号： 3  ページ： 743-756  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2531A  ISSN： 0254-4164  CODEN： JIXUDT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 半導体プロセスの発展に伴い、プロセッサ集成のチップ上のキャッシュはますます大きくなり、伝統的なメモリーは低いストレージ密度と漏れ電力消費などの問題に直面しているため、ますます厳しくなっている。近年,新しい不揮発性メモリ技術は,低い電力消費,高い記憶密度,および強い拡張性のような多くの利点を示し,それは,大容量キャッシュを構築するための最も有望な技術である。しかし,不揮発性メモリーの書込み操作の数は限られており,キャッシュとしてその寿命を制限する。同時に,キャッシュにおける書き込み操作は不均一であり,キャッシュのグループ間とグループ内の書き込み変動が存在し,このアクセス特性はキャッシュの部分的な摩耗を不均衡にし,既存のキャッシュ管理ポリシーはキャッシュの書き込みを知覚することができない。この問題を解決するために,SRAMに基づく新しい非脆弱性キャッシュの摩耗平衡(SRAM-assistone weAr Leveling,SEAL)法を提案した。この方法には,書き込まれたバッファの移動アルゴリズム(Write Variation-aware blOck Migration,WVOM)と閾値ガイドのキャッシングブロックアルゴリズム(Threshold gUided Block mIgration,TUBI)があり,書き換えられたキャッシュグループと書き込み強度の高いキャッシュユニットに焦点を当てた。これらのキャッシュユニットの書き込み圧力を減少させるために,WVOMは,バッファ間の変動を書き換えることができて,グループ間の摩耗バランス問題を解決するために使用される,そして,TUBIマイグレーションバッファグループにおいて,局所的に高いキャッシュブロックを書き込むことによって,グループ内の摩耗バランスを達成する。実験結果により,SEAL方法は,基準配置と比較して,平均摩耗寿命を,34.2%減少させ,そして,キャッシュの平均寿命を,175%増加させ,そして,性能は,平均0.735%増加し,そして,動的電力消費は,5.65%減少した。同時に、SEAL方法は最新の研究成果と比較して、キャッシュの摩耗程度は平均的に13.1%減少し、キャッシュの平均寿命は20%向上した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  半導体プロセス ,  *SRAM ,  アルゴリズム ,  コーパス ,  *キャッシュメモリ ,  *摩耗 ,  *非揮発性 ,  不揮発性メモリ ,  演算プロセッサ ,  電力消費
準シソーラス用語： 脆弱性 ,  キャッシュ管理 ,  大容量 ,  漏れ電力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： non-volatile memory ,  cache ,  wear leveling ,  endurance ,  write variation

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SRAM ,  不揮発性 ,  キャッシュ ,  摩耗 ,  バランス ,  提案