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J-GLOBAL ID：201702239437424710   整理番号：17A0470943

電気化学蒸着により作製したCu_2FeSnS_4薄膜の合成と特性評価【Powered by NICT】

Synthesis and characterization of Cu₂FeSnS₄ thin films prepared by electrochemical deposition

著者 (3件)： Miao Xiaohui (School of Physical and Material Science, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Chen Ruizhi (School of Physical and Material Science, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Cheng Wenjuan (School of Physical and Material Science, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 193  ページ： 183-186  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池における潜在的吸収層候補,第四紀化合物Cu_2FeSnS_4(CFTS)薄膜は,500°Cと550°Cで硫化処理による電気化学的析出法により初めて合成することに成功した。試料をX線回折(XRD),Raman分光法(Raman),X線光電子分光法(XPS)と紫外可視近赤外分光光度計(UV-vis-NIR分光光度計)により分析した。XRDデータとRamanスペクトルは,CFTS薄膜は黄錫鉱構造を有し,試料の結晶性は硫化温度の増加とともに改善されることを明らかにした。四構成元素のX線光電子分光解析は,Cu(I),Fe(II),Sn(IV),硫化物イオンを示した。500°Cと550°Cで硫化処理した試料の直接バンドギャップ値は,それぞれUV-vis-NIR吸収スペクトルで1.35eVと1.40eVであると評価したが,これはCFTSは光起電力応用に有望であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  *薄膜 ,  分光光度計 ,  結晶度 ,  Raman分光法 ,  *キャラクタリゼーション ,  光起電力 ,  硫化 ,  X線光電子分光法 ,  太陽電池 ,  Ramanスペクトル ,  電着
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  薄膜太陽電池 ,  *電気化学蒸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu_2FeSnS_4 ,  電着 ,  薄膜 ,  太陽電池

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学蒸着 ,  作製 ,  薄膜 ,  特性評価