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J-GLOBAL ID：201702239441826144   整理番号：17A1771627

バンドギャップの間の関係,M-Si-N(M=アルカリ,アルカリ土類または希土類金属)nitridosilicatesの構造と組成【Powered by NICT】

On the relations between the bandgap, structure and composition of the M-Si-N (M = alkali, alkaline earth or rare-earth metal) nitridosilicates

著者 (3件)： ten Kate Otmar M. (Product and Process Engineering, Chemical Engineering, Applied Sciences, Delft University of Technology, Van der Maasweg 9, 2629 HZ, Delft, The Netherlands. [e-mail]) ,  Zhang Zhijun ,  Hintzen H. T. (Bert)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 44  ページ： 11504-11514  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップと構造特性の間の関係とM-Si-Nニトリドシリケート(M=アルカリ,アルカリ土類または希土類金属)の組成が得られ,文献から収集した実験データを使用している定性的モデルは観察された傾向を説明するために提示した。高度縮合の化合物,すなわちより高いSi/N比は一般的に長いM-N結合と短いSi-N結合を持っている。観測はNの有効電荷,Si(NSi_x)との配位に依存に基づいて説明できる。Si/N比を増加させるとSiによるNの配位数は増加し,窒素原子の有効電荷をより小さい負,長く,少ない共有M-N結合をもたらした。もエネルギーのN個の2p準位をシフトし,価電子帯(主にN軌道から成る)のトップを低下させるSi-N距離を減少させる伝導帯(主にSiとM軌道から成る)の底部をシフトは上向きであった。ニトリドシリケートは一般的な傾向に偏差,γSi_3N_4といくつかのLi含有化合物などを示した。これらの偏差を検討し,それらの構造特性に適合した与えられた可能性のある説明。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 有効電荷 ,  価電子バンド ,  縮合反応 ,  *アルカリ土類金属 ,  構造特性 ,  リチウム ,  化学合成 ,  *希土類元素 ,  *ケイ素 ,  *バンドギャップ ,  伝導バンド ,  配位数
準シソーラス用語： 窒素原子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R) ,  電気化学一般  (CB07010N) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンドギャップ ,  Si ,  アルカリ ,  アルカリ土類 ,  希土類金属 ,  組成