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J-GLOBAL ID：201702239512462045   整理番号：17A0664650

van der Waals相互作用を持つAsSbによるシリセン特性の調節【Powered by NICT】

Modulation of silicene properties by AsSb with van der Waals interaction

著者 (6件)： Jin Cui (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China. [e-mail]) ,  Dai Ying ,  Wei Wei ,  Sun Qilong ,  Li Xinru ,  Huang Baibiao
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 10  ページ： 5827-5835  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア移動度を低下させることなくシリセンにおける大きなと調整可能なバンドギャップを開く高速スイッチングデバイスのために非常に望ましい。本研究では,van der Waals(vdW)相互作用をもつAsSbによって変調された二次元シリセンの構造と電子特性を,vdW補正を用いた密度汎関数理論により調べた。特に,シリセン/AsSbヘテロ界面に導入された格子不整合,他の基板上のシリセンと比較して非常に有益であることをほとんどされていない。かなり大きなバンドギャップ(213 563 meV)は界面効果による反転対称性の破れ,室温で電界効果トランジスタ(FET)のような応用の可能性を明らかにするためにシリセンに現れる。さらに,高いキャリア移動度を保証する,シリセンのほぼ線形バンド分散は本研究で検討したシリセン/AsSbヘテロ構造に保存することができる。さらに,バンドギャップは,シリセンおよびAsSbの間の層間距離を変化させることによって効果的に調整でき,興味深いことに,間接-直接バンドギャップ遷移が起こる。著者らの結果は,実験的製作とシリセン関連材料の応用のための可能な方向性を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 格子不整合 ,  バンドギャップ ,  線形性 ,  二次元 ,  *van der Waals力 ,  界面 ,  密度汎関数法 ,  指向性 ,  スイッチング素子 ,  キャリア移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  *相互作用 ,  層間隔
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： VAN ,  相互作用 ,  シリセン ,  調節