文献

J-GLOBAL ID：201702239556766840   整理番号：17A1092115

熱フィラメント化学気相蒸着によるSiCN下地層上のダイヤモンド薄膜の成長【Powered by NICT】

Growth of diamond thin films on SiCN underlayers by hot filament chemical vapor deposition

著者 (3件)： Katamune Yuki (Frontier Research Academy for Young Researchers, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensuicho, Tobata, Kitakyushu, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Mori Hiroto (Department of Electrical and Electronics Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensuicho, Tobata, Kitakyushu, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Izumi Akira (Department of Electrical and Electronics Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensuicho, Tobata, Kitakyushu, Fukuoka 804-8550, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 635  ページ： 53-57  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭窒化ケイ素(SiCN)は硬質被覆のためのダイヤモンド薄膜の成長のための下地層材料の候補である。Si基板上に堆積したSiCN層と比較のためにSi基板上に直接成長させた,SiCN下地層の入手可能性を研究したダイヤモンド薄膜。ダイヤモンド膜とSiCN下地層の両方を,熱フィラメント化学蒸着(HF CVD)により堆積した。SiCN膜蒸着用の原料ガスは(CH_3)3SiNHSi(CH_3)3としてヘキサメチルジシラザンを表した。SiCN下地層上に成長させたダイヤモンド微結晶の数密度は,Si基板上に堆積した膜のそれと比較して低かった。数密度はダイヤモンド粉末でSiCN下地層の引かき前処理により影響を受けず,これは前処理したSi基板上に成長させた膜のそれとは明らかに異なっていた。これは,400°C以下の低温度で堆積したSiCN膜はダイヤモンド膜の高温成長条件下でスクラッチ処理により形成された表面形態を維持できないためと考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高温 ,  粉体 ,  *フィラメント ,  *ダイヤモンド ,  前処理 ,  微結晶 ,  低温 ,  化学蒸着 ,  数密度 ,  被覆
準シソーラス用語： 表面形態 ,  シリコンウエハ ,  *ダイヤモンド膜 ,  *下地層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ダイヤモンド ,  熱線化学蒸着 ,  シリコン窒化炭素 ,  Raman分光法 ,  下地層

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  下地層 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  成長