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J-GLOBAL ID：201702239589411312   整理番号：17A1465154

熱アシスト(400°C)Siシードパルスレーザアニーリングによる大単結晶Ge【Powered by NICT】

Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (400°C) Si-seeded-pulse-laser annealing

著者 (5件)： Sadoh T. (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Kurosawa M. (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Heya A. (Department of Materials and Synchrotron Radiation Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Matsuo N. (Department of Materials and Synchrotron Radiation Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Miyao M. (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70  ページ： 8-11  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 配向制御大(≧10μm)絶縁体上Ge(GOI)構造の低温(≦400°C)形成は3次元大規模集積回路(LSI)を作製するために望まれるGeベース機能素子は,Si LSI上に積層した。この目的のために,低温基板加熱(≦400°C)と組み合わせたSi種パルスレーザアニーリング(PLA)を開発した。,絶縁膜で部分的に覆われたSi基板上にa-Geストライプを,PLA,a-Geストライプの単端は直接絶縁膜の開窓を介したSiシード基板に接触に曝される。室温でPLAはSiシード基板からのGe層の横方向成長を生成する。しかし,成長長が短い(1μm),これは非常に短い融解時間に起因している。融解時間を増加させるために,PLA中の加熱低温(≦400°C)基板について検討した。その結果,PLAと基板加熱(400°C)を組み合わせて得られた非常に大きい(20μm)配向GOI。詳細な電子顕微鏡解析は,成長した層の非常に高い結晶性を明らかにした。,Geの高品質急速融解成長は~400°Cの低い処理温度で可能になった。熱支援(400°C)Si種PLAは三次元LSIの実現を容易にするであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  *ゲルマニウム ,  低温 ,  高速度 ,  機能素子 ,  *単結晶 ,  三次元 ,  絶縁膜 ,  絶縁体 ,  電子顕微鏡 ,  LSI【IC】 ,  *レーザアニーリング ,  高品質 ,  横方向成長 ,  シリコンウエハ

著者キーワード (4件)： Ge ,  急速融解成長 ,  レーザアニーリング ,  3次元LSI

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： アシスト ,  Si ,  単結晶 ,  Ge