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J-GLOBAL ID：201702239614699384   整理番号：17A1777887

有機電界効果トランジスタにおける高性能高分子半導体の設計と効率的合成法【Powered by NICT】

Design and effective synthesis methods for high-performance polymer semiconductors in organic field-effect transistors

著者 (4件)： Shi Longxian (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Guo Yunlong ,  Hu Wenping ,  Liu Yunqi
資料名： Materials Chemistry Frontiers  (Materials Chemistry Frontiers)
巻： 1  号： 12  ページ： 2423-2456  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2466A  ISSN： 2052-1537  CODEN： MCFAC5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日まで,多様な高分子半導体電界効果トランジスタ(FET)のための報告されている。また第3世代ドナー-アクセプタ(D A)重合体は最も集中的に調べた半導体であった。一方,性能の向上のために採用された種々の方法である。著者らの知る限り,最高の正孔移動度52.7cm~2V~ 1s~ 1の最高電子移動度8.5cm~2V~ 1s~ 1のn型高分子半導体と4cm以上~2V~ 1秒~ 1の最高の正孔と電子移動度の両方でバランスの取れた両極性半導体のp型高分子半導体を達成した。本レビューでは,ビルディングブロック選択,バックボーンハロゲン化,側鎖工学とランダム共重合,この分野において適用された効率的な合成アプローチについて述べた,今後の高性能高分子半導体を開発するための支援を与えた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ドナー ,  正孔 ,  ハロゲン化 ,  共重合 ,  *半導体 ,  側鎖 ,  *高分子半導体 ,  *化学合成 ,  アクセプタ
準シソーラス用語： ビルディングブロック ,  極性半導体 ,  電子移動度 ,  正孔移動度 ,  *高性能高分子 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機電界効果トランジスタ ,  高分子半導体 ,  設計 ,  合成法