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J-GLOBAL ID：201702239630713130   整理番号：17A1420758

Cu_2ZnSn(S,Se)_4吸収体層添加によるCu(In,Ga)Se_2太陽電池の効率向上【Powered by NICT】

Enhanced efficiency of Cu(In,Ga)Se₂ solar cells by adding Cu₂ZnSn(S,Se)₄ absorber layer

著者 (6件)： Heriche H. (Laboratory of Materials and Electronic Systems, University of Bordj-Bou-Arreridj, El-Anasser, 34030 Bordj-Bou-Arreridj, Algeria) ,  Bouchama I. (Department of Electronics, Faculty of Engineering, University of M’sila, 28000 M’sila, Algeria) ,  Bouchama I. (Department of Electronics, Faculty of Technology, Laboratory of Electrochemical and Materials, University of Setif-1, 19000 Setif, Algeria) ,  Bouarissa N. (Laboratory of Materials Physics and its Applications, University of M’sila, 28000 M’sila, Algeria) ,  Rouabah Z. (Laboratory of Materials and Electronic Systems, University of Bordj-Bou-Arreridj, El-Anasser, 34030 Bordj-Bou-Arreridj, Algeria) ,  Dilmi A. (Laboratory of Materials and Electronic Systems, University of Bordj-Bou-Arreridj, El-Anasser, 34030 Bordj-Bou-Arreridj, Algeria)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 144  ページ： 378-386  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窓層としてバッファ層とZnOとしてCu(In,Ga)Se_2(CIGS)とCu_2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)と吸収体層,CdS,薄膜太陽電池の新しい構造をSCAPS一次元シミュレーションプログラムを用いてシミュレートした。本寄与の目的は,薄膜光起電太陽電池の性能を調べることである。太陽電池パラメータに及ぼすいくつかの要因の影響を推定した。従来のCIGS太陽電池の吸収層としてCZTSSeを添加することによって,効率は17.91%から21.84%まで増強し,CIGSのみを用いた場合,同じ厚さの,は19.19%の効率を得ることを念頭に担っていることが分かった。この結果は,CIGS太陽電池の製造に使用されるいくつかの材料の,インジウム及びガリウムなどの高コストおよび不足の問題を克服するのに役立つ可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *効率化 ,  バッファ層 ,  *インジウム ,  一次元 ,  *吸収体 ,  酸化亜鉛 ,  *太陽電池 ,  硫化カドミウム ,  薄膜
準シソーラス用語： セレン化ガリウムインジウム銅 ,  CZTSSe ,  CIGS太陽電池 ,  シミュレーションプログラム ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CIGS ,  CZTSSe ,  SCAPS ,  薄膜太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Se ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  効率向上