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J-GLOBAL ID：201702239677697133   整理番号：17A0591037

GaNにおけるa型螺旋転位と傾いたa型貫通転位の直接観測

Direct observation of inclined a-type threading dislocation with a-type screw dislocation in GaN

著者 (6件)： Matsubara Tohoru (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Sugimoto Kohei (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Goubara Shin (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Inomoto Ryo (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Okada Narihito (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Tadatomo Kazuyuki (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 18  ページ： 185101-185101-8  発行年： 2017年05月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *螺旋転位 ,  *貫通転位 ,  *透過型走査電子顕微鏡 ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *HAADF-STEM ,  MOVPE ,  ヒドリド気相エピタキシー

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  格子欠陥の観察・実験技術  (BK12020U)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  螺旋転位 ,  貫通転位 ,  観測