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J-GLOBAL ID：201702239694116951   整理番号：17A1725096

シリコン上のレーザ統合【Powered by NICT】

Laser integration on silicon

著者 (1件)： Doussiere Pierre (Intel Corporation, 2200 Mission College Boulevard, MS SC12-226, Santa Clara CA 95054, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： GFP  ページ： 169-170  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンフォトニクス設計と伝統的な離散あるいはIII-Vモノリシック手法よりも低コストでデータ通信応用のための超高速送受信機を構築するための潜在的に破壊的なアプローチと見なされている。シリコンの高屈折率のために,シリコン中に製作された,フォトニック集積回路における有用な波長マルチプレクサ,多モード干渉結合器,タップカプラ,Bragg格子および他の光学的機能の容易な統合を可能にする小さな曲率半径を持つ非常に低損失光導波路。またキャリア空乏のおかげで,RC制約された帯域幅で光変調器をシリコン上に設計できる。成熟高容量シリコン鋳造工場で製造されている大きな基質を利用する能力は,プロセス制御,高収率,およびスケール従来のIII-Vオプトエレクトロニクス半導体鋳造工場における達成統合の非常に高いレベルと大量生産シリコンフォトニクスの可能性を開いた。Siフォトニックに伴う主な課題は,シリコン中の効率的なレーザを作成する方法ではないことである。,今まで,この分野における主要な必要性が高速トランシーバのコンパクト性は,高性能レーザ源を必要とするので光データ通信及び遠距離通信市場のためのSiフォトニックの可能性を制限した。III-Vレーザダイスのピックと場所はシリコン上の送受信機を構築するための最も一般的な戦略となっているが,これはウエハスケール製造に役立つことを統合的アプローチではない。添加では,シリコン光導波路へのIII-Vレーザエミッタの結合も増加した処理時間と同様に無視できない光結合損失の集合の総合効率とコストに影響するにおけるタイト機械的アラインメントと結果を必要とする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： データ通信 ,  *ケイ素 ,  大量生産 ,  帯域幅 ,  光集積回路 ,  アラインメント ,  高速度 ,  光変調素子 ,  波長 ,  オプトエレクトロニクス ,  光導波路 ,  *レーザ ,  多重装置 ,  送受信機
準シソーラス用語： シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  光変調器  (BD06020W) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  レーザ ,  統合