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J-GLOBAL ID：201702239741921704   整理番号：17A0253770

FeドープGaNの励起と再結合の光Hall効果の研究

Photo-Hall-effect study of excitation and recombination in Fe-doped GaN

著者 (3件)： Look David C. (Semiconductor Research Center, Wright State University, Dayton, Ohio 45435, USA) ,  Leach Jacob H. (Kyma Technologies Inc., 8829 Midway West Road, Raleigh, North Carolina 27617, USA) ,  Metzger Robert (Kyma Technologies Inc., 8829 Midway West Road, Raleigh, North Carolina 27617, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 6  ページ： 065702-065702-9  発行年： 2017年02月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *鉄 ,  *ドーピング ,  *光ポンピング ,  *再結合 ,  *Hall効果 ,  発光ダイオード ,  電子 ,  寿命 ,  吸収係数 ,  光イオン化 ,  光ルミネセンス ,  キャリア密度 ,  深い準位 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *光励起 ,  自由電子 ,  電子寿命

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： Fe ,  ドープ ,  GaN ,  励起 ,  再結合 ,  Hall効果 ,  研究