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J-GLOBAL ID：201702239778524806   整理番号：17A0361964

シリセンとギャップのあるグラフェン構造におけるバレー依存Goos-Haenchen効果のスピンおよび【Powered by NICT】

Spin- and valley-dependent Goos-Haenchen effect in silicene and gapped graphene structures

著者 (2件)： Azarova E.S. (Department of Theoretical Physics, University of Nizhny Novgorod, 23 Gagarin Avenue, 603950 Nizhny Novgorod, Russian Federation) ,  Maksimova G.M. (Department of Theoretical Physics, University of Nizhny Novgorod, 23 Gagarin Avenue, 603950 Nizhny Novgorod, Russian Federation)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 100  ページ： 143-147  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポテンシャルエネルギーおよび(または)有効質量の階段状不均一性から反射される弾道電子(i)のGoos-Haenchenシフトを調べ,(ii)単層シリセンまたはギャップのあるグラフェンにおける強磁性障壁領域を透過した。単一界面から反射した電子のために,Goos-Haenchenシフトはギャップのあるグラフェン構造のバレー分極であり,スピン-谷結合によるシリセンのスピン分極を谷及びことを見出した。とは対照的に,例えば,ギャップレスグラフェンへのギャップ構造における横方向ビームシフトは全体のではなく,部分的な反射の場合だけでなく起こり,すなわち全反射の臨界角より小さい角度であった。強磁性シリセン障壁を透過する電子ビームの谷とスピン分極変位は障壁幅に依存する共鳴ことを実証した。変位の共鳴値は電位,外部垂直電場,及び絶縁性強磁性基板により誘起された交換磁場を調整することによって制御することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スピン分極 ,  不均一性 ,  強磁性 ,  *グラフェン ,  全反射 ,  弾道電子 ,  界面 ,  ポテンシャルエネルギー ,  電場 ,  分極 ,  有効質量 ,  電子ビーム
準シソーラス用語： 臨界角 ,  Goos-Haenchenシフト ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリセン ,  ギャップ ,  グラフェン ,  Goos-Haenchen効果 ,  スピン