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J-GLOBAL ID：201702239828388869   整理番号：17A1546299

低エネルギーGaイオン注入により誘起されたγLiAlO_2におけるRaman効果【Powered by NICT】

The Raman effects in γ-LiAlO₂ induced by low-energy Ga ion implantation

著者 (6件)： Zhang Jing (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials and Key Laboratory of Particle Physics and Particle Irradiation (MOE), Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Song Hong-Lian (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials and Key Laboratory of Particle Physics and Particle Irradiation (MOE), Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Qiao Mei (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials and Key Laboratory of Particle Physics and Particle Irradiation (MOE), Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Wang Tie-Jun (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials and Key Laboratory of Particle Physics and Particle Irradiation (MOE), Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Yu Xiao-Fei (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials and Key Laboratory of Particle Physics and Particle Irradiation (MOE), Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Wang Xue-Lin (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials and Key Laboratory of Particle Physics and Particle Irradiation (MOE), Shandong University, Jinan 250100, PR China)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 409  ページ： 72-75  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来の核融合炉で有望な固体増殖材料として知られる,正方晶γLiAlO_2結晶は,その照射効果のために多くの注目を集めている。本研究では,イオン注入したγLiAlO_2におけるRaman効果に焦点を当てた。3080および150keVのGaイオンは1×10~14ions/cm~2または1×10~15ions/cm~2のフルエンスでzカットγLiAlO_2試料表面に移植した。平均イオン飛程は230から910Åまで変化した。Ramanスペクトルは,移植前と後の注入した表面から収集した。明白な変化はRamanモード強度に反映され,最も検出モードの異常増加であった。Ramanモードの帰属によると,Al-O振動はLi-Al-O振動よりも大幅に強化され,少ない増進効果を得られたLiO_4 AlO_4振動。,Gaイオンによる粗さ,結晶不規則性と影響の因子を含む,Raman強度の増分を説明しようと試みた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Raman強度 ,  結晶 ,  飛程 ,  核融合炉 ,  *ガリウム ,  Ramanスペクトル ,  増殖材 ,  *イオン ,  *イオン注入 ,  正方晶系 ,  フルエンス
準シソーラス用語： 不規則性 ,  照射効果 ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： イオン注入 ,  光材料 ,  Raman分光法

分類 (4件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低エネルギー ,  Gaイオン ,  注入 ,  誘起