BEOL TDDBのLERの影響のための確率モデル【Powered by NICT】

Muralidhar R.; Wu E.; Shaw T.; Kim A.; Li B.; Mclaughlin P.; Stathis J.; Bonilla G.

文献

J-GLOBAL ID：201702239879263022 整理番号：17A1036298

BEOL TDDBのLERの影響のための確率モデル【Powered by NICT】

A stochastic model for impact of LER on BEOL TDDB

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 2017 号： IRPS ページ： DG-4.1-DG-4.4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ライン(BEOL)誘電体のバックエンドのための動作電圧でのTDDB寿命予測は電場依存誘電体摩耗モデルに基づく運転条件に高磁場と外挿での加速試験に基づいている。この手法の主要な合併症は試験構造だけでなく,不均一電荷パーコレーション効果における電場不均一性の生成による寿命予測における不正確さを導くことができる,ラインエッジ粗さ(LER)の影響である。本論文では,実験的に測定されたLER統計的特性,仮定した電場加速モデルとパーコレーションモデルを入力として用いた動作電圧への寿命投影のよりロバストな方法を示した。仮定した加速モデルの正確さは,データセット全体に適合あるいは記述するその能力により事前後を検証した。基礎加速モデル根E(RE)と同様にべき乗則(PL)の時,LERの影響を研究し,べき乗則モデルは,べき乗則における特性場の不在のためにLERの影響に関してユニークな特性を示すことが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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固体デバイス製造技術一般

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