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J-GLOBAL ID：201702239887053976   整理番号：17A0855394

四元標的Se自由後アニーリングによるからのスパッタリングによるCIGS太陽電池に及ぼすアニーリング温度の影響【Powered by NICT】

The effects of annealing temperature on CIGS solar cells by sputtering from quaternary target with Se-free post annealing

著者 (9件)： Zhang Leng (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Zhuang Daming (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Zhao Ming (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Gong Qianming (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Guo Li (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Ouyang Liangqi (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Sun Rujun (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Wei Yaowei (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Zhan Shilu (The School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 413  ページ： 175-180  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化段階は,CIGS前駆体堆積段階に従うCu(In,Ga)Se_2(CIGS)製造プロセスの二段階法では,H_2Seガスはセレン源,不均一ガス田と潜在的に危険な作業条件につながる可能性があるとして採用した。本論文では,セレンを含まない雰囲気中での焼なましを持つCIGS前駆体を堆積CIGS吸収体を得るためにSeターゲットのスパッタリングに基づく方法を提案した。CIGS薄膜とデバイスに及ぼすアニーリング温度の影響を研究した。は,CIGS膜の結晶粒成長はアニーリング温度450°Cから525°Cの範囲の増加,太陽電池の短絡電流と効率の増加をもたらすにより強化されることが分かった。525°Cでアニールした吸収体層を持つデバイスは,11.8%の最高効率を示した。しかし,温度がさらに増加すると,セレン空格子点の量は現れるは自由キャリアの再結合速度,及び転換効率の低下の増強の結果となるかもしれない。最後に,MoとCIGSの間のOhm接触をこの方法でデバイスのための形成することを見出している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *セレン ,  *焼なまし ,  結晶成長 ,  前駆体 ,  *太陽電池 ,  モリブデン ,  吸収体 ,  短絡電流 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： 再結合速度 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 ,  セレン化反応 ,  *アニーリング温度 ,  *CIGS太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Cu(InGa)Se_2 ,  Se自由アニーリング ,  温度

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 標的 ,  Se ,  アニーリング ,  スパッタリング ,  CIGS太陽電池 ,  アニーリング温度