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J-GLOBAL ID:201702239919924982   整理番号:17A1358202

CMOS/MEMS基板上のマイクロデバイスアレイLED過程【Powered by NICT】

Micro-device array LED processes on CMOS/MEMS substrate
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: NEMS  ページ: 776-779  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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パネルシステムにおける特殊なチップ設計と製作マイクロデバイスアレイLED。マイクロLEDスライド上に移動信号である。CMOS/MEMS基板上に置かれたLED布への結合技術の利用の原理であるアドレス素子構造選択LED金型は,各様式のマイクロLEDアレイ。特集チップ設計信号発生方法は短時間であった。表示を形成する点光を入射させること巨大スラストである。特殊チップ設計(ASIC)によるパネルの試験片は超小型LEDアレイ配列決定システム技術を駆動する。マイクロLEDシステムのASICアーキテクチャ回路により,432個の軽い点を駆動するのみ85μsecことができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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音波伝搬  ,  発光素子 
タイトルに関連する用語 (4件):
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