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J-GLOBAL ID：201702239929745157   整理番号：17A0937649

強誘電相と常誘電カルコゲン化物Sn_2P_2S_6結晶で実現した強相関状態への新しい洞察【Powered by NICT】

New insight into strong correlated states realised in a ferroelectric and paraelectric chalcogenide Sn₂P₂S₆ crystal

著者 (4件)： Babuka T. (Institute of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Science, Jan Dlugosz University in Czestochowa, Al. Armii Krajowej 13/5, 42200 Czestochowa, Poland. [e-mail]) ,  Glukhov K. ,  Vysochanskii Y. ,  Makowska-Janusik M.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 44  ページ： 27770-27779  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Sn_2P_2S_6(SPS)カルコゲン化物結晶の強誘電及び常誘電の両相の電子特性を,第一原理法を用いて調べた。異なる汎関数を用いた密度汎関数理論法(DFT)を適用することにより,それらのエネルギーバンド構造を計算し,検討した。純DFT方法論だけでなく,ハイブリッド汎関数により拡張されたことは,SPS結晶の電子パラメータの予測に満足な結果を与えなかったことを確認した。上記材料の理論的モデル化を改善するために,Hubbard補正を本研究で提案した,結果として,適切な電子パラメータが得られた。SPSのパラ相と強誘電相のバンドギャップの正確な値はSとP原子のp軌道に対するHubbardパラメータを適用することによって得られた。,原子間の電荷移動に対するHubbardパラメータの影響を示し,解析した。この場合,(SP_3)サブシステムの電子特性を説明し,そして,研究したカルコゲン化物系中のSn原子の役割について述べた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  第一原理 ,  *カルコゲン化物 ,  汎関数 ,  *結晶 ,  *スズ ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： サブシステム ,  理論モデル ,  ハイブリッド汎関数 ,  エネルギー帯 ,  *強相関 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： カルコゲン化物 ,  結晶 ,  強相関 ,  洞察