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J-GLOBAL ID：201702240029011220   整理番号：17A1244766

MOVPEを用いて作製したm面GaN Schottky障壁ダイオードの漏れ電流とキャリア濃度のファセット依存性【Powered by NICT】

Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE

著者 (12件)： Tanaka Atsushi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Barry Ousmane1 (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Nagamatsu Kentaro (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Matsushita Junya (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Deki Manato (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Ando Yuto (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Kushimoto Maki (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Nitta Shugo (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Honda Yoshio (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (Akasaki Research Center, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (Venture Business Laboratory, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaN基板上に有機金属気相エピタクシーで作製したGaN m面Schottky障壁ダイオードは放出顕微鏡,光ルミネセンス,陰極線ルミネセンスを用いて調べた。添加では,逆バイアス条件下での漏れ電流のファセット依存性が観察された。漏れ電流分布はキャリア濃度と酸素濃度のファセット依存性によって起こることを示した。これらの結果は,m面素子の作製のための重要な示唆を提供することができる。(a)m面GaN MOVPE試料の四ファセットヒロック,(b)漏れ電流のファセット依存性および(c)m面GaN Schottky障壁ダイオードのPLピーク強度。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *漏れ電流 ,  顕微鏡 ,  *MOCVD ,  *キャリア密度 ,  光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  *ファセット ,  陰極線ルミネセンス ,  *ダイオード ,  酸素濃度
準シソーラス用語： 逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 電荷キャリア濃度 ,  結晶ファセット ,  GaN ,  漏れ電流 ,  非極性表面 ,  Schottkyダイオード

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOVPE ,  作製 ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード ,  漏れ電流 ,  キャリア濃度 ,  ファセット ,  依存性