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J-GLOBAL ID：201702240062988748   整理番号：17A0222758

焼なましによるCzochralskiシリコン中の高速および低速のホウ素-酸素関連劣化の範囲の調節 単一欠陥の証拠

Modulating the extent of fast and slow boron-oxygen related degradation in Czochralski silicon by thermal annealing: Evidence of a single defect

著者 (6件)： Kim Moonyong (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia) ,  Abbott Malcolm (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia) ,  Nampalli Nitin (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia) ,  Wenham Stuart (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia) ,  Stefani Bruno (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia) ,  Hallam Brett (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 5  ページ： 053106-053106-10  発行年： 2017年02月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 時定数 ,  *焼なまし ,  *Czochralski法 ,  *ケイ素 ,  *ホウ素 ,  *酸素 ,  *劣化 ,  *格子欠陥 ,  前駆体

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 焼なまし ,  シリコン ,  低速 ,  ホウ素 ,  酸素 ,  調節 ,  欠陥 ,  証拠