文献

J-GLOBAL ID：201702240106155045   整理番号：17A0274523

Cu(In,Ga)Se-2薄膜の光ルミネセンスに及ぼすCdSとZnSnOバッファ層の影響【Powered by NICT】

Influence of CdS and ZnSnO Buffer Layers on the Photoluminescence of Cu(In,Ga)Se $_2$ Thin Films

著者 (6件)： Salome Pedro M. P. (Laboratory for Nanostructured Solar Cells, International Iberian Nanotechnology Laboratory, 4715-330, Braga, Portugal) ,  Teixeira Jennifer P. (Departamento de Fi ́sica and I3N, Universidade de Aveiro, Aveiro, Portugal) ,  Keller Jan (Ångstrom Laboratory, Division of Solid State Electronics, Ångstroem Solar Center, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Torndahl Tobias (Ångstrom Laboratory, Division of Solid State Electronics, Ångstroem Solar Center, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Sadewasser Sascha (Laboratory for Nanostructured Solar Cells, International Iberian Nanotechnology Laboratory, 4715-330, Braga, Portugal) ,  Leitao Joaquim P. (Departamento de Fi ́sica and I3N, Universidade de Aveiro, Aveiro, Portugal)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 2  ページ： 670-675  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)太陽電池におけるCdSバッファ層の代替の探索は,電力変換効率の点で非常に有望であることが分かった。本論文では,典型的に使用される化学浴から沈着したCdS層は原子層堆積Zn_1xSn-xO_y(ZnSnO)と比較した。CIGSの欠陥特性に及ぼす各種バッファ層の影響に関する外部量子効率と光ルミネセンスによって光学的研究を提示した。両バッファ層では,CIGSバルクとCIGS/バッファ界面は静電変動ポテンシャル,ZnSnOバッファ層を持つ試料では不鮮明になっによって強く影響される。これはCIGS界面近傍層におけるドナー欠陥の低濃度と関連している。バッファ層堆積の結果としてCIGSのバンドギャップの変化を観測した。本研究は,複雑な四元半導体Cu(In,Ga)Se2中の欠陥の知識,議論するように,バッファ層とその蒸着過程の選択によっても影響を受ける可能性があることを拡大している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  半導体 ,  *光ルミネセンス ,  ドナー ,  界面 ,  *硫化カドミウム ,  *バッファ層 ,  バンドギャップ ,  薄膜
準シソーラス用語： 蒸着過程 ,  低濃度 ,  外部量子効率 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 ,  ALCVD ,  電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cu ,  Ga ,  Se ,  薄膜 ,  光ルミネセンス ,  CdS ,  バッファ層