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J-GLOBAL ID:201702240113250740   整理番号:17A1250020

光起電力応用のための溶液処理した銅硫化ひ素薄膜【Powered by NICT】

Solution-processed copper arsenic sulfide thin films for photovoltaic applications
著者 (4件):
資料名:
巻:号: 28  ページ: 6913-6916  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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密に充填したミクロンサイズの結晶粒をもつ第一銅硫化ひ素(Cu_3AsS_4)薄膜をAs_2S_5における加熱ナノ粒子により合成した。XRDは斜方晶系多形正方晶Cu_3AsS_4ナノ粒子の変換を示し,Raman分光法は,非晶質第二相の存在を示した。これらの膜は,光起電力応用に対して有望であることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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光伝導,光起電力  ,  太陽電池  ,  高分子固体の物理的性質 

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