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J-GLOBAL ID：201702240202380244   整理番号：17A1639851

IV-VIカルコゲン化物とその起源の菱面体相の安定性の予測【Powered by NICT】

Prediction of the stability of the rhombohedral phase in IV-VI monochalcogenides and its origin

著者 (4件)： Argaman Uri (Materials Engineering Department, Ben-Gurion University of the Negev, Beer Sheva 84105, Israel. [e-mail]) ,  Abutbul Ran E. ,  Segev Elad ,  Makov Guy
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 41  ページ： 6107-6115  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeTe,SnTe,菱面体晶monotelluridesは強誘電挙動を有する非中心対称材料と熱電とスピントロニクスにおける応用の可能性がある。以前の計算研究[E.Segev,U.Argaman,R.E.Abutbul,Y.ゴランとG.Makov,CrystEngComm、2017、19-、1751 1761]では,菱面体晶相は低温でのSnSeとGeSeの熱力学的に最も安定な相である可能性があることが分かった。本研究では,これらの系における菱面体晶相の機械的および熱力学的安定性と密度汎関数理論計算を用いて圧力と温度の関数としての増強を調べた。安定性の領域内で,菱面体晶相の構造,結合形成および物理的性質を調べた。この相は化学結合と反対方向性を持つ非球形孤立電子対を形成する歪んだ岩塩相である。この相におけるモノカルコゲン化物は強誘電体挙動を示す,電気分極を計算した。最後に,高圧下で岩塩相への菱面体晶から転移を調べ,ゼロKelvinにおける第二近似解であることが分かった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱力学的安定度 ,  三方晶系 ,  低温 ,  高圧 ,  化学結合 ,  対称性 ,  岩塩 ,  スピントロニクス ,  孤立電子対 ,  強誘電体 ,  熱力学 ,  *カルコゲン化物 ,  計算 ,  誘電分極
準シソーラス用語： 密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (4件)： カルコゲン化物 ,  起源 ,  安定性 ,  予測