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J-GLOBAL ID：201702240295742170   整理番号：17A1650817

負性微分伝導率の下での窒化物膜における短monopulsesの励起【Powered by NICT】

Excitation of short monopulses in nitride films under negative differential conductivity

著者 (4件)： Grimalsky V. (IICBA, CIICAp, Autonomous University of State Morelos (UAEM), Cuernavaca 62240, Mor., Mexico) ,  Koshevaya S. (IICBA, CIICAp, Autonomous University of State Morelos (UAEM), Cuernavaca 62240, Mor., Mexico) ,  Sanchez-S. J. (IICBA, CIICAp, Autonomous University of State Morelos (UAEM), Cuernavaca 62240, Mor., Mexico) ,  Rapoport Yu. (Physical Faculty T. Shevchenko National University, Kyiv 03022, Ukraine)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MRRS  ページ： 151-154  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロン厚さの窒化物膜における負性微分伝導率によるTHz領域で広いスペクトルを持つ空間電荷波の短いmonopulsesの励起を理論的に調べた。n-GaNとn-InN膜では,≦5ps~電場の高い値の持続時間のパルスを発生させることが可能である。電子エネルギーに対する平均電子速度の非局所依存性の影響を考慮した。バイアス電場の最適値と短いmonopulsesを生成するためのドーピング濃度が得られた。短monopulsesはペデスタルなしで生成でき,体積結晶中の強電場の領域とは異なっていた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  スペクトル ,  *微分 ,  バイアス ,  窒化ガリウム ,  継続時間 ,  パルス ,  *励起 ,  空間電荷波
準シソーラス用語： 高電場 ,  最適値 ,  電子速度 ,  電子エネルギー ,  *窒化膜 ,  *伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 微分 ,  伝導率 ,  窒化物膜 ,  励起