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J-GLOBAL ID：201702240332054557   整理番号：17A1567467

グラフェン/PtSe_2van der Waalsヘテロ接合の形成によるグラフェンのバンドギャップの開き【Powered by NICT】

Band gap opening of graphene by forming a graphene/PtSe₂ van der Waals heterojunction

著者 (3件)： Guan Zhaoyong (Institute of Nuclear Physics and Chemistry, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, Sichuan 621900, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Ni Shuang ,  Hu Shuanglin
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 72  ページ： 45393-45399  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップを開くとグラフェンに適した基質を見出すグラフェンベースのナノ電子デバイスを構築するための二課題である。最近,新しい電子特性を有する新しい二次元層状結晶PtSe_2は直接「セレン化」により効果的に合成した。本研究では,PtSe_2はグラフェン/PtSe_2van der Waals(vdW)ヘテロ接合を形成することによってグラフェンに適した基板として使用できることを実証した。ハイブリッド密度汎関数計算は,基板としてPtSe_2はグラフェン,室温で電子の熱励起を克服するための十分に大きいに0.264eVのかなりのギャップを導入することを示した。グラフェンのバンドギャップの開きの基礎となる機構はPtSe_2基板はグラフェンのAおよびB副格子の対称性を破るための不均一静電ポテンシャルを生成できることである。グラフェン/PtSe_2vdWヘテロ接合に垂直な歪を適用することにより,ヘテロ接合の電子特性を効果的に調整することができた。垂直歪が増加すると,バンドギャップは単調に増加し,0.781eVの大きさに達することができた。グラフェンとPtSe_2の高いキャリア移動度をもつ,調整可能なバンドギャップは高性能電界効果トランジスタにおけるPtSe_2/グラフェンヘテロ接合の大きな可能性を示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  結晶 ,  副格子 ,  基質 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン ,  対称性 ,  FET【トランジスタ】 ,  *ヘテロ接合 ,  二次元
準シソーラス用語： 静電ポテンシャル ,  熱励起 ,  密度汎関数計算 ,  セレン化反応 ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  ヘテロ接合 ,  バンドギャップ