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J-GLOBAL ID:201702240343906384   整理番号:17A1345362

第11族金属Ge_xS_1xとGe_xSe_1xシステムへの側方拡散に影響するTIDの比較研究:柔軟な放射線センサの開発の展望【Powered by NICT】

A Comparative Study on TID Influenced Lateral Diffusion of Group 11 Metals Into GexS1-x and GexSe1-x Systems: A Flexible Radiation Sensor Development Perspective
著者 (10件):
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巻: 64  号:ページ: 2292-2299  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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変化の影響1)接触電極を形成するために使用される金属と2)著者らが最近開発した柔軟な放射線検出センサの性能に及ぼすカルコゲン化物ガラス原子比/化学組成を調べた。電極では,三11族元素(即ち,銅,銀および金)を用いた。カルコゲン化物ガラス膜では,カルコゲン原子(すなわち硫化物あるいはセレ化物)の原子比は,素子毎に変化させたGe_xS_1xまたはGe_xSe_1xのいずれかを用いた。Ag電極を持つセレン化システムは非常に有望であることが分かった,センサの検出限界はカルコゲン化物ガラス膜中のSe原子比に明確な依存性を示した。異なる11族金属電極を持つ他のセレン化と硫化物系は~60Co線源からのγ線照射によるその制御不安定性あるいは非常に遅い拡散のどちらかによるこの横方向拡散に基づく設計に適していなかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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放射線検出・検出器 

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