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J-GLOBAL ID：201702240483306053   整理番号：17A1060593

受動QスイッチNd:MoS_2/GaAs可飽和吸収体をもつYVO_4レーザ【Powered by NICT】

Passively Q-switched Nd:YVO₄ laser with MoS₂/GaAs saturable absorber

著者 (6件)： Zhang Haikun (School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Zhang Feng (School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Li Xin (School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Chen Lijuan (School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Wang Jing (School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Wang Liangling (School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan, 250022, China)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 70  ページ： 153-157  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsウエハに付着した二硫化モリブデン(MoS_2)ナノシートをQスイッチNd:YVO_4レーザにおけるMoS_2/GaAs可飽和吸収体(SA)として採用した。MoS_2/GaAs SAは数層MoS_2に深さ350μm GaAsウエハを移動の液体剥離法による作製に成功した。1.77Wの吸収ポンプパワーにおいて,321.6mWの平均出力パワー,パルス幅51.3nsと769.7kHzの繰返し速度をもつパルスを得ることができ,これは短いパルス幅の発生におけるMoS_2/GaAsヘテロ構造の可能性を明らかにした。パルスエネルギーとピークパワーはそれぞれ417.8nJ,8.14Wであり,同じ吸収ポンプパワーである。二次元ナノ材料と従来のSAsを持つヘテロ構造SAsは,より短いパルス幅を得るために光変調に用いることができることを約束している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *レーザ ,  光変調 ,  パルス幅 ,  *ヒ化ガリウム ,  ナノシート ,  *可飽和吸収体 ,  二次元 ,  パルス ,  ナノ材料 ,  *スイッチ ,  パルスエネルギー ,  ヘテロ構造 ,  *受動Qスイッチング ,  負荷周波数 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 繰返し速度 ,  二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoS_2ナノシート ,  GaAsウエハ ,  Heterostructures ,  可飽和吸収体 ,  受動Qスイッチ

分類 (1件)： 固体レーザ  (BD04080W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 受動Qスイッチ ,  Nd ,  GaAs ,  可飽和吸収体 ,  レーザ