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J-GLOBAL ID：201702240509544460   整理番号：17A1088399

センシング応用のための単一角度ファセット利得チップを持つ単一周波数赤外波長可変レーザ

Single-frequency infrared tunable lasers with single-angle-facet gain chips for sensing applications

著者 (9件)： SIMONYTE Ieva (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU) ,  ANDRULIONIS Laurynas (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU) ,  ALEKNAVICIUS Justinas (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU) ,  NAUJOKAITE Greta (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU) ,  DVINELIS Edgaras (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU) ,  TRINKUNAS Augustinas (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU) ,  GREIBUS Mindaugas (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU) ,  VIZBARAS Augustinas (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU) ,  VIZBARAS Kristijonas (Brolis Semiconductors UAB, Vilnius, LTU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10111  ページ： 101110H.1-101110H.9  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,単一周波数波長可変レーザ吸収分光法及びセンシングのための源としての利得チップに関する最新の成果を提示する。この高出力利得チップは,外部キャビティレーザ中へ応用するために設計された。2025nmで>40mW,2250nmで13mW及び2380nmで10mWの最大出力を達成した。シリコンフォトニクスフィードバック回路による利得チップ積分から,その優れた性能を確認した。この場合,室温で7.5mWの最大出力及び>52dBのサイドモード抑制比(SMSR)を利得媒体としての2025nmデバイスにおいて,58nmの全熱調整範囲において達成した。また,利得チップを連続調整のためにピエゾ部品を含むLittrow構成に基づく外部キャビティレーザ(ECL)中で積分した。このことは,2-2.4μmの波長範囲に対して(0.27-0.44)nmのモードホップフリー調整範囲を得ることを可能にした。広範囲の調整を格子を回転することによって実施し,その結果,調整範囲は170nmまでに及んだ。付け加えると,高安定性を確保する必要がある応用のために,スペクトル変調が2%と低い2300nm利得チップを実証した。このデバイスは,デバイスキャビティ長に依存して100から120μmで出力を示した。最後に,低い反射率と3.6mWの出力を持つ850nm利得チップを実証した。しかし,入力を減少するという観点で,850nmデバイスの性能をさらに改善する必要がある。

シソーラス用語： *可変波長レーザ ,  *ファセット ,  検出 ,  利得 ,  角度 ,  *周波数 ,  赤外線 ,  アンチモン化ガリウム ,  反射率 ,  発光スペクトル ,  吸光分光分析 ,  帰還回路
準シソーラス用語： センシング ,  フィードバック回路

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  分光分析  (CC03012W)

タイトルに関連する用語 (7件)： センシング ,  応用 ,  ファセット ,  利得 ,  単一周波数 ,  赤外 ,  波長可変レーザ