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J-GLOBAL ID：201702240551712976   整理番号：17A1376446

二次元原子結晶と結合した単一プラズモニックナノロッドにおける能動制御による室温の強い光-物質相互作用

Room-Temperature Strong Light-Matter Interaction with Active Control in Single Plasmonic Nanorod Coupled with Two-Dimensional Atomic Crystals

著者 (12件)： WEN Jinxiu (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  WANG Hao (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  WANG Weiliang (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  DENG Zexiang (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  ZHUANG Chao (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  ZHANG Yu (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  LIU Fei (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  SHE Juncong (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  CHEN Jun (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  CHEN Huanjun (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  DENG Shaozhi (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  XU Ningsheng (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 8  ページ： 4689-4697  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/Si基板上の単層WS₂上に分散した金ナノロッドによるヘテロ構造において,個々の金ナノロッドの縦モードプラズモンとWS₂の少数の励起子との間の強結合による巨大な室温Rabi分裂(91~133meV)を達し,基板とヘテロ構造により構成したバックゲートFETにおける静電的なゲーティング或はヘテロ構造の温度操作により,プラズモンと励起子の間の強結合の能動制御を室温で実現した。これらの結果は室温動作ナノフォトニック素子への可能性を示す。

シソーラス用語： ナノロッド ,  金 ,  タングステン化合物 ,  多硫化物 ,  薄膜 ,  *アクティブ制御 ,  *プラズモン ,  縦モード ,  *励起子 ,  *強結合 ,  *室温 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 二硫化タングステン ,  単層膜 ,  能動コントロール

分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子 ,  結晶 ,  能動制御 ,  室温 ,  光-物質相互作用