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J-GLOBAL ID：201702240576355422   整理番号：17A0378209

原子分解能分析電子顕微鏡によるSiCパワー半導体の界面構造評価

著者 (2件)： 真家信 (住化分析セ) ,  松尾祥史 (住化分析セ)
資料名： SCAS News  (SCAS News)
号： 45  ページ： 7-10  発行年： 2017年02月27日 
JST資料番号： L3657A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 省エネルギー効果をもたらすパワー半導体への期待は近年益々大きくなっている。現在,従来のSiからより高性能なSiCへの移行が進んでいるが,一方で製造プロセスにおいてSiC特有の諸問題が生じており,特に性能を大きく左右するゲート酸化膜SiO₂/SiC界面制御が大きな課題となっている。デバイスメーカーでは性能向上に向けた界面制御が種々検討されており,製造プロセス最適化のための精密な界面構造把握が求められている。本稿では,当社に新しく導入した原子分解能分析電子顕微鏡を用いた原子レベルでの界面構造評価事例について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  半導体素子 ,  *電力トランジスタ ,  ゲート絶縁膜 ,  ゲート【半導体】 ,  制御 ,  *表面構造 ,  界面 ,  分解能 ,  酸化ケイ素 ,  MOSFET ,  *透過型走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  インバータ
準シソーラス用語： 炭化ケイ素素子 ,  ゲート酸化膜 ,  界面制御 ,  界面構造 ,  原子分解能 ,  HAADF-STEM

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (4件)：

• 矢野裕司,畑山智,冬木隆,表面科学Vol.35,No.2,pp.90-95,2014
• 中津和弘,古田倫明,SCASNEWS 2012-I
• 渡部平司,細井卓治,表面科学Vol.33,No.11,pp.639-644,2012
• 山本悠,高橋照央,SCAS NEWS 2015-I

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子分解能 ,  分析電子顕微鏡 ,  SiC ,  パワー半導体 ,  界面構造 ,  評価