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J-GLOBAL ID：201702240744246614   整理番号：17A1545168

表面のDFT計算とセンシングのためのケイ素コア近似結晶の電子構造【Powered by NICT】

DFT calculations of the surface and the electronic structure of silicon core approximants for sensing

著者 (4件)： Li Mu-Neng (School of Physical Electronics, University of Electronics Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Zhang Zhi-Hong (School of Physical Electronics, University of Electronics Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Wu Shao-Yi (School of Physical Electronics, University of Electronics Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Chen Xiao-Hong (School of Physics and Chemistry, Research Center for Advanced Computation, Xihua University, Chengdu 610039, China)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 148  ページ： 344-349  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素,ヒドロキシル及びメチル終端により末端化したケイ素コア近似を,6-31G(d)Gauss型分子軌道基底関数系を用いてB3LYPハイブリッド汎関数定式化の枠内での密度汎関数理論計算によって研究した。すべてのクラスタの結合長と結合角を含む最適化された幾何学的構造が得られた。種々のクラスタの電子構造を状態分析,自然結合軌道解析およびHOMO-LUMO軌道解析の密度を含めて計算した。電荷移動と局所破壊MO対称性のSi表面結合終端の影響を議論した。上記すべてのクラスタのUV-visスペクトルも計算した。すべての構造のgテンソルを研究し,議論した。全てのデータは,SiO二重結合がH_2O,O_2とCH_3CH_2OHガスの雰囲気に曝されたSi量子ドットの最もありそうな表面構造であることが判明することを示した。もちろん,更なる研究と実験の検証を必要とする。研究シリコン量子ドットのセンシングのための理論的基礎を提供するであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面構造 ,  核間距離 ,  *電子構造 ,  電荷移動 ,  結合角 ,  基底関数系 ,  *密度汎関数法 ,  二重結合 ,  HOMO ,  *ケイ素 ,  量子ドット ,  LUMO ,  クラスタ
準シソーラス用語： 軌道解析 ,  B3LYP法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度汎関数理論 ,  シリコンコア近似 ,  電子構造 ,  SiO ,  SiOH

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (6件)： DFT計算 ,  センシング ,  ケイ素 ,  コア ,  近似結晶 ,  電子構造