抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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低電力ディジタルエレクトロニクスの設計に向けられたかなりの努力。しかし,改善と成熟の年後,CMOS技術は効率天井に直面する可能性がある。これはトランジスタに固有の漏出と伝導損失の間のトレードオフに起因していた。当たり最低の散逸は理論的Landauer「S限界(300Kで3zJ)よりも数十年高い現在残っている。断熱CMOSアーキテクチャを動的損失を低減するための良好な候補である。しかし,断熱運転は,運転周波数を減少させ,漏れ損失を悪化させる,トランジスタ断熱論理のための適切な支援できなかった。本論文では,計算のための新しいパラダイムをもたらす。トランジスタに代わる基本装置は,ばねで支持した結合移動質量に基づいている。比較的高い計算速度(マイクロメータスケール装置のための1MHzのオーダー)を提供するためにこのような物体は,MEMSを作製することができた。このパラダイムでは,論理状態は電気の代わりに機械的にコードされている。計算は移動要素間の静電相互作用により行った。縦続接続できることを組合せ論理ゲートを作成するために配置されることを示した。情報は電気的に注入し,抽出した,従来の回路との互換性を可能にした。電気機械シミュレーションによるシステムの抵抗と減衰散逸を推定し,ANDゲートの1例。ゲートは断熱的に駆動される場合,動作当たりのエネルギーはアトジュールの範囲で低下し,マイクロメータスケール基本デバイスを用いた。散逸は運転のより低い周波数に対してほとんど消失する。これは電気機械断熱計算(EMAC)はLandauer「S限界に近づくことができることを示唆した。EMACを低い計算能力の要件を持つ高エネルギー制約のもとで動作するデバイスに有用であるが,将来の大規模拡散環境センサなど。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
