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J-GLOBAL ID：201702240794437994   整理番号：17A0049406

Tl₁₀Hg₃Cl₁₆: 単結晶成長,電子構造,および圧電特性

Tl₁₀Hg₃Cl₁₆: Single crystal growth, electronic structure and piezoelectric properties

著者 (9件)： Khyzhun O.Y. (Frantsevych Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, 3 Krzhyzhanivsky Street, 03142 Kyiv, Ukraine) ,  Piasecki M. (Institute of Physics, J.Dlugosz University Czestochowa, Armii Krajowej 13/15, Czestochowa PL-42-217, Poland) ,  Kityk I.V. (Electrical Engineering Department, Czestochowa University Technology, Armii Krajowej 17, PL-42-200 Czestochowa, Poland) ,  Luzhnyi I. (Frantsevych Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, 3 Krzhyzhanivsky Street, 03142 Kyiv, Ukraine) ,  Fedorchuk A.O. (Department of Inorganic and Organic Chemistry, Lviv National University of Veterinary Medicine and Biotechnologies, 50 Pekarska Street, 79010 Lviv, Ukraine) ,  Fochuk P.M. (Yuriy Fed’kovych Chernivtsi National University, 2 Kotziubynskoho Street, 58012 Chernivtsi, Ukraine) ,  Levkovets S.I. (Department of Inorganic and Physical Chemistry, Lesya Ukrainka Eastern European National University, 13 Voli Avenue, 43025 Lutsk, Ukraine) ,  Karpets M.V. (Frantsevych Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, 3 Krzhyzhanivsky Street, 03142 Kyiv, Ukraine) ,  Parasyuk O.V. (Department of Inorganic and Physical Chemistry, Lesya Ukrainka Eastern European National University, 13 Voli Avenue, 43025 Lutsk, Ukraine)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 242  号： P1  ページ： 193-198  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bridgman-Stockbarger法を用いて,三元ハロゲン化物の単結晶Tl₁₀Hg₃Cl₁₆を得た。Tl₁₀Hg₃Cl₁₆の結晶の場合,本著者らは,未処理のイオン衝突面およびAr⁺イオン衝突面のX線光電子スペクトルを測定し,さらに光誘起圧電性を調べた。著者らのデータは,Tl₁₀Hg₃Cl₁₆単結晶表面がAr⁺イオン衝撃に対して非常に敏感であることを示した。特に,14μA/cm²のイオン電流密度で5分以上の3.0keVのエネルギーを有するAr⁺イオン衝撃は,Tl₁₀Hg₃Cl₁₆の元素化学量論の有意な変化を引き起こし,研究した単結晶の表面層における水銀含有量の急激な減少をもたらした。処理の結果,水銀含有量は表面層においてゼロになった。さらに,本論文のXPS測定により,Tl₁₀Hg₃Cl₁₆の単結晶表面の非常に低い吸湿性についての結論を可能にした。この特性は,周囲条件で操作するオプトエレクトロニクスまたはナノエレクトロニクスデバイスにおける結晶の取り扱いにとって極めて重要であった。光誘起圧電性を,窒素(λ=371nm)レーザー出力密度および温度に依存して,Tl₁₀Hg₃Cl₁₆に対して調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 圧電気 ,  結晶成長 ,  結晶構造 ,  単結晶 ,  電子構造 ,  *塩化物 ,  *タリウム化合物 ,  *水銀化合物 ,  Bridgman法 ,  ハロゲン化物 ,  イオン衝突 ,  X線光電子スペクトル ,  誘導 ,  光照射 ,  薄膜 ,  圧電体 ,  化学組成 ,  電流密度 ,  イオン電流 ,  化学量論 ,  気体レーザ ,  X線光電子分光法 ,  吸湿性 ,  オプトエレクトロニクス ,  X線回折 ,  充填 ,  パッキング問題 ,  単結晶成長 ,  光誘起 ,  窒素レーザ ,  最密充填
準シソーラス用語： 圧電特性 ,  *塩化タリウム水銀 ,  圧電性薄膜 ,  XPS法 ,  XRD

著者キーワード (4件)： Halides ,  Electronic structure ,  Piezoelectric properties ,  Single crystal growth XPS

分類 (3件)： 塩素とその化合物  (YB02040H) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  電気的・磁気的実験技術  (BA02050S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶成長 ,  電子構造 ,  圧電特性