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J-GLOBAL ID:201702240879792412   整理番号:17A1345365

Geドープ繊維のin situ測定された放射線誘起減衰に及ぼす照射温度の影響【Powered by NICT】

Irradiation Temperature Influence on the In Situ Measured Radiation Induced Attenuation of Ge-Doped Fibers
著者 (12件):
資料名:
巻: 64  号:ページ: 2312-2317  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Geドープ光ファイバの紫外-可視領域における放射線誘起減衰(RIA)に関する実験的研究を報告し,種々の温度でX線(10 keV)曝露。目的は,RIAレベルと速度に及ぼす照射温度の影響を特性化することである。著者らのデータは,1kGy(SiO_2)を超える線量のRIAスペクトルは照射温度と共に変化することを明らかにした。特に,470nm以下の波長のためのRIAは線量と照射温度の両方に依存し,より高い波長でRIAは線量にのみ依存した。微視的観点からこの挙動の起源はGeX欠陥の一つ,試験した範囲で温度に敏感な低として現れるに関してGe(1)欠陥発生機構に及ぼす照射温度の大きな影響により説明される。この所見はこれらの二タイプの欠陥の発生機構の間の決定的な関係を確立する容易にを防止する。,高温で照射したファイバにおける,放射誘起されたGe(1)の低含有量は照射後に得た電子常磁性共鳴(EPR)結果によって支持された。in situ RIAと死後E PRデータは,線量の関数としてのGe(1)成長の有意な対応を示した。共焦点顕微鏡ルミネセンス実験は,非架橋酸素正孔中心濃度は300~373で観察されたものと比較して473Kでより高いことを示している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化  ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学 

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