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J-GLOBAL ID：201702241023268704   整理番号：17A1652297

ハンドセット応用のための小型のワット級GaN-on-Si AB級電力増幅器【Powered by NICT】

A compact watt-level GaN-on-Si class AB power amplifier for handset applications

著者 (2件)： Hasin Muhammad Ruhul (School of Electrical, Computer & Energy Engineering Arizona State University Tempe, USA) ,  Kitchen Jennifer (School of Electrical, Computer & Energy Engineering Arizona State University Tempe, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： WMCS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,7.5dBのPAPRを持つ3.84MHz WCDMA信号に対して30dBmで55.4%,ACPRが 35.5dBcの電力付加効率(PAE)を持つ870MHz帯におけるワットレベルの電力を供給し,GaN-on-Si EMT AB級電力増幅器(PA)を提示した。PAは比帯域45.2%,10dB以上の利得をもつ600~950MHzを達成した。PAは単一チップPA溶液への潜在的将来の統合のための実行可能な値を持つことを表面実装部品を用いて実施した。高直線性を持つワットレベルの出力はこのPAを厳密な直線性要求を持つ広帯域変調方式で動作するハンドセット送信機のための有用なコンポーネントである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *電力増幅器 ,  *送受話器 ,  送信機 ,  広帯域CDMA ,  *電力 ,  利得 ,  電力付加効率 ,  広帯域 ,  線形性
準シソーラス用語： 高直線性 ,  比帯域幅 ,  ACPR ,  PAPR ,  *ワット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応用 ,  ワット ,  GaN ,  Si ,  AB級 ,  電力増幅器