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J-GLOBAL ID：201702241071180324   整理番号：17A0621022

ドープされたハニカム状BN単分子膜中に幅広く調整可能なバンドギャップをもつバレー擬スピン

Valley Pseudospin with a Widely Tunable Bandgap in Doped Honeycomb BN Monolayer

著者 (18件)： SONG Zhigang (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LI Ziwei (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Hong (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  BAI Xuedong (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  BAI Xuedong (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  WANG Wenlong (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  DU Honglin (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LIU Sunquan (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Changsheng (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  HAN Jingzhi (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YANG Yingchang (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LIU Zheng (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  LU Jing (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LU Jing (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  FANG Zheyu (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  FANG Zheyu (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  YANG Jinbo (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YANG Jinbo (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 3  ページ： 2079-2087  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,一連の(BN)_x(C₂)_1-x単分子膜(BN=窒化ホウ素)は,バレートロニクス特性をもち,バレートロニクスの用途を深紫外域から遠赤外スペクトルの幅広いスペクトル領域に拡大することを実証した。2倍バレー擬スピンを,2D系におけるC₃対称の限界を超えて実現できることを,計算は明らかにした。繰返しドーピングしたh-BN単分子膜において,バレーHallコンダクタンスの量子ステップが,孤立したバレーを横切るFermiレベルの調整によって期待される。作製したB_0.92NC_2.44試料は,室温にて40%の螺旋の程度で最大のバレー分極効果を示した。

シソーラス用語： ドーピング ,  ハニカム構造 ,  *バンドギャップ ,  スピン ,  *窒化ホウ素 ,  炭化物 ,  *電子技術 ,  コンダクタンス ,  Fermi準位 ,  光ルミネセンス ,  化学蒸着 ,  単分子層
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  Fermiレベル ,  ドープ ,  *バレートロニクス ,  擬スピン ,  単分子膜 ,  六方晶窒化ホウ素

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  BN ,  単分子膜 ,  バンドギャップ ,  擬スピン