文献

J-GLOBAL ID：201702241104826091   整理番号：17A0907959

Alドープおよび非ドープZnOロッド状ナノ構造の欠陥に誘起された室温強磁性特性【Powered by NICT】

Defect-induced room temperature ferromagnetic properties of the Al-doped and undoped ZnO rod-like nanostructure

著者 (5件)： Jule Leta (Physics Department, University of the Free State, Private Bag X13, Phuthaditjhaba 9866, South Africa) ,  Dejene Francis (Physics Department, University of the Free State, Private Bag X13, Phuthaditjhaba 9866, South Africa) ,  Ali Abdub G. (Physics Department, University of the Free State, Private Bag X13, Phuthaditjhaba 9866, South Africa) ,  Roro Kittessa (CSIR-Energy center, Council for Scientific and Industrial Research, P.O. Box 395, Pretoria, South Africa) ,  Mwakikunga Bonex (CSIR- National Centre for Nano-Structured Materials, P.O. Box 395, Pretoria 0001, South Africa)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 199  ページ： 151-155  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,容易なゾル-ゲル法で作製したアンドープZnOとAlドープZnO(AZO)ナノ粒子に関する電子常磁性共鳴(EPR)実験を調べた。AZO(Zn 1 x Al x O ,0.1≦x≦0.30)の室温強磁性(FM)特性に及ぼすAl濃度の影響を報告した。EPR信号はFMの起源は純粋に固有と欠陥状態にトラップされた電子スピンからの正味の磁気モーメントを持つクラスタの相互作用と関連し明らかにした。増加Al濃度は酸素吸着量の減少に起因すると思われるFM秩序を減少させる結果になる。PLに基づく欠陥分析は,亜鉛格子間原子(Zn i)及び単一酸素空格子点(Vo +)は非ドープZnOにおける強磁性を媒介する原因であることを示す。主張は,RamanスペクトルとE PR分析により支持された。さらに,本研究は,将来のスピントロニクスにおけるAZOの応用の可能性を示唆し,AZOナノ粒子における強磁性の起源を推測した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  Ramanスペクトル ,  *ナノ構造 ,  格子間原子 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  *アルミニウム ,  スピントロニクス ,  電子スピン ,  *ドーピング ,  ゾル-ゲル法 ,  *強磁性 ,  磁気モーメント ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *室温強磁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ゾル-ゲル調製 ,  磁性材料 ,  E PR ,  Ferromagnetism ,  ZnO

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： Al ,  ドープ ,  ZnO ,  ロッド ,  ナノ構造 ,  欠陥 ,  誘起 ,  室温強磁性