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J-GLOBAL ID：201702241218516559   整理番号：17A1246112

耐放射線性界面:金属/酸化物界面の放射線損傷抵抗に及ぼす不整合転位での局所化学量論の影響【Powered by NICT】

Radiation Tolerant Interfaces: Influence of Local Stoichiometry at the Misfit Dislocation on Radiation Damage Resistance of Metal/Oxide Interfaces

著者 (12件)： Shutthanandan Vaithiyalingam (Environmental Molecular Sciences Laboratory, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA, 99352, USA) ,  Choudhury Samrat (Materials Science and Technology Division, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87545, USA) ,  Manandhar Sandeep (Environmental Molecular Sciences Laboratory, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA, 99352, USA) ,  Kaspar Tiffany C. (Physical and Computational Sciences Directorate, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA, 99352, USA) ,  Wang Chongmin (Environmental Molecular Sciences Laboratory, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA, 99352, USA) ,  Devaraj Arun (Physical and Computational Sciences Directorate, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA, 99352, USA) ,  Wirth Brian D. (Department of Nuclear Engineering, University of Tennessee, Knoxville, TN, 37996, USA) ,  Thevuthasan Suntharampilli (Physical and Computational Sciences Directorate, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA, 99352, USA) ,  Hoagland Richard G. (Materials Science and Technology Division, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87545, USA) ,  Dholabhai Pratik P. (Materials Science and Technology Division, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87545, USA) ,  Uberuaga Blas P. (Materials Science and Technology Division, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87545, USA) ,  Kurtz Richard J. (Energy and Environment Directorate, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA, 99352, USA)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 4  号： 14  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料と放射の相互作用は,原子力発電システムにおける多くの構造の性能,信頼性,安全性を制御する。法は,最適界面安定性と点欠陥再結合能力を与える界面特性を操作すれば照射損傷抵抗の革命的な改善が達成可能であり得る。不整合転位密度と局所化学のような界面特性の変化は照射誘起欠陥吸収と再結合にどのように影響するか理解するために,MgO(001)単結晶基板上に堆積した金属Cr_xV_1-x(0≦x≦1)エピタキシャル膜のモデル系を調べた。膜組成を制御することによって,膜とMgO間の格子不整合は金属/酸化物界面でのミスフィット転位密度を変化させるために調整した。種々の照射条件下でこれらの界面の安定性を実験的および理論的に研究した。結果は,金属/金属界面で異なり,不整合転位密度は,金属/酸化物界面での照射損傷耐性を支配しないことを示した。むしろ,化学量論と不整合転位の余分な半平面(金属または酸化物)の位置は照射誘起欠陥挙動を駆動する。まとめると,これらの結果は,界面化学への欠陥再結合の感度を示し,次世代原子力発電プラントのための工学的耐放射線性ナノ材料のための新しい道を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 点欠陥 ,  界面化学 ,  *耐放射線性 ,  格子不整合 ,  再結合 ,  *不整合転位 ,  酸化マグネシウム ,  信頼性 ,  *界面 ,  *化学量論 ,  単結晶 ,  照射損傷 ,  相互作用
準シソーラス用語： *局在化 ,  界面特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度汎関数理論 ,  連けいさせるか ,  不整合転位 ,  放射線損傷 ,  RBS/チャネリング

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 耐放射線性 ,  界面 ,  酸化物 ,  放射線 ,  損傷抵抗 ,  不整合転位 ,  化学量論