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J-GLOBAL ID：201702241269139620   整理番号：17A1502980

電離層底部側電子密度プロファイルの厚さパラメータの改良した経験的定式化【Powered by NICT】

An improved empirical formulation of an ionosphere bottomside electron density profile thickness parameter

著者 (2件)： Alazo-Cuartas K. (The Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics, T/ICT4D, Trieste, Italy) ,  Radicella S.M. (The Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics, T/ICT4D, Trieste, Italy)
資料名： Advances in Space Research  (Advances in Space Research)
巻： 60  号： 8  ページ： 1725-1731  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0831A  ISSN： 0273-1177  CODEN： ASRSDW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 底部電離圏電子密度プロファイルの「塩基点」の特性化のための改良された経験的定式化を提案した。電離層の「点」は,電子密度プロファイル高さにより規定される勾配dN/dhは最大に達した。最大電子密度の高さと「基点」の高さの間の差は,電離層F2層厚さパラメータB2に比例した。以前の実験式をdN/dhの最大値を結びつけるアイオノグラムからスケールfoF2とM(3000)F2。新しい定式化は,太陽天頂角への依存性を加えた。新しい方程式の使用は,NeQuickモデルに用いたB2厚さパラメータの計算を改善した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *定式化 ,  キャラクタリゼーション ,  層厚 ,  *電離層 ,  *電子密度 ,  *密度分布 ,  実験式
準シソーラス用語： 太陽天頂角 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子密度プロフィル ,  F2層厚さパラメータ ,  Epstein層 ,  NeQuickモデル

分類 (2件)： 電離層・熱圏  (DC04050O) ,  放射,大気光学  (DC05080C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電離層 ,  電子密度 ,  プロファイル ,  パラメータ ,  経験 ,  定式化