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J-GLOBAL ID：201702241277291940   整理番号：17A1444717

2次元半導体の柔軟なデバイスへの応用【Powered by NICT】

Flexible Device Applications of 2D Semiconductors

著者 (1件)： Gao Li (School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 35  ページ： ROMBUNNO.201603994  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二カルコゲン化物と座屈したナノ結晶のような,グラフェン様単一層または2,3層半導体は直接および調整可能なバンドギャップ,優れた電気的,光学的,機械的および熱的特性を有していた。2次元半導体の望ましい特性のこの独特なセットはデバイス性能を改善し,適用範囲を拡大し,良好な材料品質と単純化された製作工程を実現するから,超薄2Dフレキシブル電子デバイスの開発に大きな関心を引き起こした。遷移金属ジカルコゲン化物とブラックリンに基づく最も研究されている2Dフレキシブルデバイスは,電界効果トランジスタ,オプトエレクトロニクス,電子センサとスーパーキャパシタを含んでいる。材料の大きなポートフォリオと2D結晶の性質を利用して,低コスト,高性能,透明,フレキシブル,ウェアラブルデバイスの新世代フレキシブル電子技術を進める上で魅力的で期待される。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： カルコゲン化物 ,  簡素化 ,  ナノ結晶 ,  熱特性 ,  *二次元 ,  生産工程 ,  グラフェン ,  FET【トランジスタ】 ,  *半導体 ,  単一層 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： ウェアラブルデバイス ,  スーパーキャパシタ ,  フレキシブルデバイス ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フレキシブルエレクトロニクス ,  heterostructures ,  ホスホレン ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  2次元半導体

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 2次元 ,  応用