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J-GLOBAL ID：201702241285148750   整理番号：17A1355130

Co_2MnSi薄膜の最適化とスピンSeebeckデバイスのための多層膜【Powered by NICT】

Optimisation of Co₂MnSi thin films and multilayers for spin Seebeck devices

著者 (3件)： Cox C.D. (Department of Physics, Loughborough University, United Kingdom) ,  Morrison K. (Department of Physics, Loughborough University, United Kingdom) ,  Cropper M. (Department of Physics, Loughborough University, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： INTERMAG  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁化した材料は,温度勾配(ΔT)を受けた場合スピンSeebeck効果は,純粋なスピン電流(J_s)の発生として定義される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度勾配 ,  *最適化 ,  *多層膜
準シソーラス用語： スピン電流 ,  スピンSeebeck効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 最適化 ,  スピン ,  多層膜