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J-GLOBAL ID：201702241314949847   整理番号：17A1388122

短波長赤外InAs/InSb/AlSbタイプII超格子光検出器【Powered by NICT】

Short wavelength infrared InAs/InSb/AlSb type-II superlattice photodetector

著者 (8件)： Cohen-Elias D. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Uliel Y. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Klin O. (SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel) ,  Snapi N. (SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel) ,  Weiss E. (SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel) ,  Shafir I. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Westreich O. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Katz M. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 84  ページ： 82-86  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それぞれ15 1及び4単分子層の厚さを持つInAs/InSb/AlSb II型超格子(T2SL)に基づく光検出器を作製し,特性化した。一InSb単分子層のInAsとAlAsの間の界面は,λ_cutoffを増加させる3.3μmに,InAs/AlSb層相関と歪バランスを改善する。 0.5Vのバイアスで,300と200Kで暗電流はそれぞれ1.1および8.5×10~-~3cm~2であったおよび,300K,200K,2.75μmでの量子効率は34%であった。検出力は2.5と3μm波長の200Kで300Kと10~10cm Hz以上~/2/W10~9cm Hz~1/2W以上であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *超格子 ,  キャラクタリゼーション ,  暗電流 ,  *光検出器 ,  ヒ化アルミニウム ,  *ヒ化インジウム ,  量子効率 ,  界面 ,  *アンチモン化インジウム ,  *波長 ,  単分子層 ,  バイアス
準シソーラス用語： *短波長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 短波 ,  赤外 ,  InAs ,  InSb ,  タイプ ,  超格子 ,  光検出器