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J-GLOBAL ID:201702241326892135   整理番号:17A0407495

硫化堆積したままのCZTSe膜による高硫黄Cu_2ZnSn(S,Se)_4膜:相,結晶度およびS/(S+Se)比の発展【Powered by NICT】

High-sulfur Cu2ZnSn(S,Se)4 films by sulfurizing as-deposited CZTSe film: The evolutions of phase, crystallinity and S/(S+Se) ratio
著者 (14件):
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巻: 695  ページ: 3139-3145  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高硫黄Cu_2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜を四元ターゲットからスパッタされた硫化堆積Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)膜により調製した。本研究では,硫化中のCZTSSeに堆積したCZTSe膜の相,結晶化度とS/(S+Se)の変化を検討した。熱処理の間,二つの臨界温度が見出され,すなわち,300°Cと380°Cの間のCZTSSeの形成温度と約580°CでCZTSSeの再結晶温度であった。380°C以上での熱処理で膜の相は,硫黄含有量の増加と共にCZTSeからCZTSSe。高硫化温度が再結晶化によるCZTSSeの粒成長に有益であった。CZTSSe(典型的には約0.8)におけるS/(S+Se)比は,異なる硫化温度と時間と共に0.1時間以内に変化した。S/(S+Se)比が0.49から0.88まではH_2S体積百分率を変えることにより得ることができた。CZTSSe膜のS/(S+Se)比の広い変化を得るために,H_2S体積百分率が重要なパラメータである。本研究より高いS CZTSSe膜のための有望な方法とこの方法によってS/(S+Se)比に及ぼす硫化パラメータの同調性を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  その他の無機化合物の薄膜 

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